| 型号： | FDMQ8203 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| FDMQ8203 PDF |  |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | GreenBridge™ PowerTrench® |
| FET 型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V，80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | 带卷 (TR) |